NANDFlashError

2019年3月31日—Thecorruptionofdataduetotemporaryerrorsisoftenknownasbit-flippinginFlashmemory,wherethestateofabitappearstobeflipped.,2018年12月4日—TheerrorsinNANDFlashcanbeclassifiedintotwomajorcategories:permanent(non-correctable)errorsandtemporary(correctable)errors.,2017年10月1日—有一系列措施可用于减少retentionerror，从而显著延长NANDflash的使用寿命，并且所需额外开销并不很大，这一系列措施统称...

參考資訊如下
Flash 101

2019年3月31日 — The corruption of data due to temporary errors is often known as bit-flipping in Flash memory, where the state of a bit appears to be flipped.

Flash 101

2018年12月4日 — The errors in NAND Flash can be classified into two major categories: permanent (non-correctable) errors and temporary (correctable) errors.

NAND ERROR机制解析

2017年10月1日 — 有一系列措施可用于减少retention error，从而显著延长NAND flash的使用寿命，并且所需额外开销并不很大，这一系列措施统称为Flash Correct-and-Refresh（ ...

NAND Flash Basics & Error Characteristics

NAND Flash Basics & Error. Characteristics. Why Do We Need Smart Controllers? Thomas Parnell, Roman Pletka. IBM Research - Zurich. Flash Memory Summit 2017.

NAND FLASH以及相關ECC校驗方法

2019年1月22日 — Nand Flash物理特性上使得其數據讀寫過程中會發生一定機率的錯誤，所以要有個對應的錯誤檢測和糾正的機制，於是才有此ECC，用於數據錯誤的檢測與糾正。

Porting NAND flash 實作中的相關知識筆記

2020年2月29日 — factory-bad: 指的是出廠就已經出現問題的bad block; worn-out: 即使用多次erase 後導致的bad block. ECC / OOB. ECC 就是所謂的error correction code， ...

快閃記憶體寫入干擾與保存錯誤之特性量測與分析

由 劉念竹 著作 · 2016 — Program Interference and Retention Error Characteristic Measurement and Analysis for NAND Flash Memory. 劉念竹(Nian-Zhu Liu). 指導教授： 謝欣霖. 國立 ...

糾錯精準更高效LDPC提升Flash可靠度

2017年9月4日 — 隨著NAND Flash的製程發展與容量的進步，錯誤校正對於確保NAND Flash的資料可靠度而言，比起以往任何時候都更為重要。一般來說對於大尺寸的快閃記憶體 ...

適用於NAND 型快閃記憶體之適應性編碼率錯誤更正系統設計

由 陳德軒 著作 · 2008 — In this work, we focus on the Bose-Chaudhuri-Hocquenghem (BCH) codes for flash memory, and propose an adaptive-rate error correction scheme that is implemented ...